технические детали

• Тип монтажа 6-VDFN
• ESR (Эквивалентное последовательное сопротивление) 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
• Количество групп LVCMOS
• Мощность - Пиковый импульс Enable/Disable
• Диэлектрический материал MEMS (Silicon)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 105°C
• Резьба ±50ppm
• Диаметр - Внутренний 2.25V ~ 3.6V
• Длина шнура 0.035" (0.90mm)
• Тип реле AEC-Q100
• Профиль (Ш x В) 40MHz
• Номинальный срок службы 40MHz
• 23 mA
• Угол активации MEMS