технические детали

• Тип монтажа 20-VFQFN Exposed Pad
• ESR (Эквивалентное последовательное сопротивление) 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
• Количество групп LVCMOS
• Мощность - Пиковый импульс Enable/Disable (Reprogrammable)
• Диэлектрический материал MEMS (Silicon)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C
• Резьба ±25ppm
• Диаметр - Внутренний 2.25V ~ 3.6V
• Длина шнура 0.035" (0.90mm)
• Тип реле AEC-Q100
• Программное обеспечение 56mA
• Профиль (Ш x В) 25MHz
• Номинальный срок службы 50MHz
• 44 mA
• Высотное штабелирование (сопряжение) 50MHz
• Показатель преломления - Оболочка 25MHz
• Угол активации MEMS