технические детали

• Тип монтажа 8-SMD Module
• ESR (Эквивалентное последовательное сопротивление) 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
• Количество витков Surface Mount
• Количество групп LVCMOS
• Мощность - Пиковый импульс Enable/Disable
• Отделка оболочки Factory-Configured
• Диэлектрический материал XO (Standard)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C
• Диаметр - Внутренний 3.135V ~ 3.465V
• Программное обеспечение 180mA
• Открывающее усилие 0.045" (1.15mm)
• ±25ppm
• 50 MHz ~ 200 MHz
• Угол активации Silicon