технические детали

• Тип монтажа 4-VDFN
• ESR (Эквивалентное последовательное сопротивление) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
• Количество витков Surface Mount
• Количество групп CMOS
• Мощность - Пиковый импульс Enable/Disable
• Отделка оболочки Blank (User Must Program)
• Диэлектрический материал XO (Standard)
• Крутящий момент - Винт -20°C ~ 70°C
• Диаметр - Внутренний 1.71V ~ 3.63V
• Тип реле AEC-Q100
• Программное обеспечение 3mA (Typ)
• Открывающее усилие 0.035" (0.90mm)
• ±25ppm
• 1 MHz ~ 100 MHz
• Угол активации MEMS