технические детали

• Тип монтажа Die
• Количество витков Surface Mount
• Количество групп CMOS
• Мощность - Пиковый импульс Enable/Disable
• Диэлектрический материал XO (Standard)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C
• Резьба ±1ppm
• Диаметр - Внутренний 1.62V ~ 3.63V
• Программное обеспечение 3mA
• Угол активации Crystal