技術的な詳細

• 実装タイプ 6-VDFN
• ESR（等価直列抵抗） 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
• ギャング数 LVCMOS
• パワー - ピークパルス Enable/Disable
• 誘電体材料 MEMS (Silicon)
• トルク - スクリュー -40°C ~ 105°C
• ネジ山 ±50ppm
• 直径 - 内部 2.25V ~ 3.6V
• コード長 0.035" (0.90mm)
• リレータイプ AEC-Q100
• 外形寸法（幅×高さ） 40MHz
• 定格寿命 40MHz
• アクチュエーション角度 MEMS